Развитие полупроводниковых технологий в Китае замедлилось, показал процессор HiSilicon Kirin 9010
Эксперты TechSearch International и iFixit детально проанализировали компоненты смартфона Huawei Pura 70 и пришли к выводу, что развитие производства передовых полупроводников в Китае происходит не так быстро, как можно было предположить. В то же время, у китайских производителей уже есть всё необходимое для перехода на новый уровень.
Процессор Kirin 9010, на котором работает Huawei Pura 70, находится под модулем оперативной памяти — в данном случае это чип SK hynix ёмкостью 12 Гбайт. Внешняя маркировка процессора преимущественно соответствует предыдущей модели Kirin 9000S, которая выпускается по техпроцессу 7 нм. У Kirin 9000S (модель HI36A0, версия GFCV120) и 9010 (модель HI36A0, версия GFCV121) действительно один номер модели. Новый процессор, предполагают эксперты, является переработанной и ускоренной версией старого, и производится он по той же технологии 7 нм, то есть китайским производителям пока не удалось добиться значительного прогресса в новых техпроцессов.
Вместе с тем у SMIC, которая выступает полупроводниковым подрядчиком при выпуске этих чипов, уже есть все необходимые технологии — сейчас компания добивается подходящего для массового производства уровня выхода годной продукции. Как ожидается, на 5-нм техпроцесс компания перейдёт в конце текущего года или немного позже.
Сравнительное тестирование Huawei Pura 70 (Kirin 9010) с Samsung Galaxy S24 (Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3) в Geekbench показывает, как далеко продвинулось китайское производство полупроводников, и то, сколько ему предстоит преодолеть, чтобы догнать американских конкурентов. Представленный в октябре 2023 года актуальный флагман Snapdragon производится TSMC с использованием 4-нм техпроцесса N4P. Эта технология стала преемником N5 и была представлена тайваньским контрактным производителем ещё в 2021 году — а N5, в свою очередь, на одно поколение опережает N7, которая используется в Kirin 9000S и 9010.
Чип Kirin 9010 содержит восьмиядерный центральный процессор: здесь есть четыре эффективных ядра Arm Cortex-A510 с тактовой частотой 1550 МГц, три ядра Taishan v121 на 2180 МГц и одно Taishan v121 на 2300 МГц. Для сравнения, Kirin 9000S располагает четырьмя ядрами Arm Cortex-A510 (1530 МГц), тремя Taishan (2150 МГц) и одним Taishan v120 (2620 МГц). Taishan являются Arm-совместимыми ядрами собственной разработки Huawei, а Cortex-A510 имеют стандартную архитектуру Arm образца 2020 года — сейчас их заменили A520.
Прочие компоненты телефона Huawei Pura 70 преимущественно произведены в Китае. Но есть и заметные импортные запчасти: помимо вышеупомянутого чипа памяти SK hynix, это MEMS-датчик гироскопа и акселерометра Bosch. SK hynix ранее уже пришлось оправдываться и заявлять, что она ничего не поставляла Huawei после вступления в силу санкций в 2020 году; а MEMS-датчики китайцы могут выпускать и самостоятельно. Самым любопытным компонентом является накопитель HiSilicon ёмкостью 1 Тбайт. Эксперты считают, что принадлежащая Huawei компания HiSilicon разработала для него только контроллер, а сами кристаллы NAND выпустил какой-то другой китайский производитель — дополнительная маркировка отсутствует.
У Китая есть всё необходимое, чтобы обрести самодостаточность в полупроводниковой области, чему не помешает ограниченный доступ к литографическим сканерам: на первое время хватит существующего DUV-оборудования, на котором можно применять метод обработки заготовок в несколько проходов. Huawei не может закупать чипы LPDDR5 у своих обычных поставщиков, но свой первый модуль этого стандарта недавно выпустила китайская компания CXMT, хотя и ей придётся как-то решить проблему низкого выхода годной продукции при переходе на 7 и 5 нм. Экономичный выпуск передовых полупроводников обеспечивают EUV-сканеры, которые выпускает только нидерландская ASML, и она не может поставлять это оборудование в Китай, пока действуют американские санкции. Поэтому Пекину пока придётся мириться не только с низким выходом годной продукции, но и с дополнительными затратами на разработку собственных DUV- и EUV-сканеров.
