Samsung попытается не отстать от TSMC и Intel в освоении подвода питания снизу полупроводниковых кристаллов
TSMC, Samsung и Intel соперничают при внедрении похожих инноваций в сфере литографии, пытаясь опередить друг друга в сроках вывода соответствующих новшеств на рынок. Помимо структуры транзисторов с окружающим затвором, они сейчас соревнуются в сроках реализации подвода питания к оборотной стороны кристалла. Intel готова сделать это в рамках своего техпроцесса 20A, а компании Samsung и TSMC ориентируются на собственные 2-нм технологии.
Если планы Intel и TSMC в этой сфере ни для кого не были секретом, то в отношении Samsung интрига сохранялась, хотя этот южнокорейский производитель структуру транзисторов GAA осмелился внедрить ещё в рамках 3-нм техпроцесса, опередив конкурентов. По информации издания Chosun Biz, компания Samsung рассчитывает реализовать подвод питания с оборотной стороны полупроводникового устройства в рамках 2-нм техпроцесса, выпуск продукции по которому она начнёт в следующем году.
Сочетание данных технологий позволяет сократить площадь кристалла процессора с архитектурой Arm на величину от 10 до 19 %, а рабочую частоту повысить на однозначную величину в процентах. Традиционно питающие дорожки подводились к элементам процессоров за счёт формирования металлизированных слоёв кристалла в его верхней части. По мере увеличения количества слоёв и уменьшения расстояния между элементами делать это становилось всё сложнее, поэтому специалисты задумались о подводе питания с оборотной стороны кристалла. Такой подход позволяет повысить энергоэффективность чипа и одновременно уменьшить площадь кристалла.
Первоначально Samsung рассчитывала внедрить эту технологию к 2027 году одновременно с освоением 1,7-нм техпроцесса, но в условиях возросшей активности конкурентов может перенести сроки на более ранний период, уже в рамках 2-нм технологии. Intel реализует подвод питания с оборотной стороны кристалла в рамках технологии 20A уже в этом году, а компания TSMC собирается сделать это в 2026 году к моменту освоения 2-нм и более «тонких» техпроцессов.
